HBF opens up room for cost reduction in AI storage, but squeezes traditional NAND supply
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Bernstein estimates that the manufacturing cost per GB of HBF with 8 stacked dies is $0.64, while that of 8-layer stacked HBM4 is $6.78, with the former being about one-tenth of the latter. However, at the same capacity, the wafer area required for HBF is about 6.5 times that of the TLC NAND used in enterprise SSDs. Under Goldman Sachs' optimistic scenario, by the end of 2028, HBF will account for about 4% of global NAND bit shipments, yet consume about 9% of wafer capacity. SanDisk and SK Hynix are jointly developing the HBF standard. SanDisk plans to deliver the first samples in 2027, and its joint manufacturing framework with Kioxia also limits the room for adjusting wafer supply.
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The original article uses estimates from Bernstein and Goldman Sachs to break down the trade-off between HBF's cost advantage in AI storage and the squeeze on wafer capacity.
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HBF打开AI存储降本空间，但挤压传统NAND供给来源：半导纵横发布时间：2026-11-04 17:22存储HBM生成海报8颗裸芯堆叠的HBF每GB制造成本为0.64美元；而8层堆叠的HBM4每GB制造成本为6.78美元。
高带宽闪存（HBF）有望为AI加速器提供更多存储容量，每GB制造成本大约仅为HBM4的十分之一。但量产HBF会消耗远多于传统NAND的晶圆产能，可能压缩SSD厂商的供给空间。据伯恩斯坦测算，8颗裸芯堆叠的HBF每GB制造成本为0.64美元；而8层堆叠的HBM4每GB制造成本为6.78美元。不过，如果要产出同等存储容量，HBF所需晶圆面积大约是企业级SSD所用TLC NAND的6.5倍。
伯恩斯坦同时估算，假设单颗HBF堆叠产品售价和HBM持平，8裸芯HBF的毛利率可达86.5%。以上均为模型测算数值，并非实际生产成本或商业化毛利率。
HBF将多颗NAND裸芯堆叠，并拓宽数据通路，向AI加速器高速传输海量数据。虽然延迟高于HBM，但它可以用更低成本提供更大容量，填补HBM与SSD之间的空白。这套思路是：对延迟敏感的负载放在HBM中运行，HBF用来承载体量巨大、需要频繁读取的模型数据。
高盛分析师James Schneider认为，依托更高的加速器利用率，HBF有望把AI推理成本降低约30%。假设15% 至50% 的AI芯片采用该技术，到2030年，包含HBF在内的高性能NAND潜在市场规模可达400亿至1500亿美元。
闪迪目标2027年送出HBF样品
闪迪与SK海力士正在联手制定HBF标准，推动这项技术落地。闪迪8月完成首款HBF存储裸芯流片，并在10月29日财报电话会上确认已经启动制造。公司计划在2027年交付首批基于HBF的样品。闪迪CEO David Goeckeler表示，公司还需要完成控制器基础裸芯流片、组件集成，之后向客户送测。客户测试结果，将决定HBF在AI系统中的实际表现以及客户落地节奏。HBF暂未纳入闪迪长期财务测算模型。
SK海力士在10月28日财报中称，计划依托HBF以及系统优化，把NAND打造为提升AI业务吞吐能力、改善成本效率的核心技术。现阶段，SK海力士的NAND战略重心仍是企业级SSD。公司计划在第四季度将321层NAND工艺的占比提升至韩国本土产能的一半以上。今年8月，SK海力士与闪迪通过开放计算项目（OCP）发布首份HBF技术规范，覆盖8裸芯、16裸芯两种堆叠方案，最高容量512GB，带宽区间约0.4TB/s～3.0TB/s。谷歌、AI芯片厂商Tenstorrent也加入这项标准化工作。
三星电子同样在研发高性能NAND技术，面向端侧AI推出zNAND-O架构。
HBF会分流传统NAND产能
按照高盛乐观情景假设：到2028年末，一半AI芯片搭载HBF。届时HBF占全球NAND比特出货量约4%，但会消耗约9% 的晶圆产能。这个差距源于HBF对晶圆资源的高消耗。如果厂商在不新增总产能的前提下转产HBF，留给企业SSD等传统NAND产品的晶圆供给就会缩减。
而闪迪已有的长期供货承诺，会加大这种产能转移的难度。闪迪已经和8家客户签署长期协议，协议覆盖的比特容量大约占到其2027财年预期总出货量的一半、2028财年预期总出货量的三分之二。公司在10月财报会上透露，意向订单储备已经超过2029年底之前的可用产能。这些协议订单目前并未标明是HBF订单，对存量客户的供货承诺，会限制闪迪可转向新产品的产能规模。
闪迪的NAND生产长期依赖合作伙伴铠侠。根据闪迪年报，目前其全部闪存晶圆都来自和铠侠在日本设立的合资制造主体Flash Ventures。双方协议限制闪存生产外迁以及使用第三方代工厂。铠侠并未加入HBF标准联盟，而是在研发另一套高性能闪存架构，Blocks & Files在11月3日报道了该消息。
2025年8月，铠侠展示了面向边缘AI的5TB闪存模组，带宽64GB/s。该方案采用串行链式互联，和闪迪、SK海力士的垂直堆叠路线不同。闪迪尚未披露，如何依托现有制造合作框架解决HBF晶圆供给。两家企业也没有发布任何和HBF生产相关的纠纷公告。
HBF的商业价值最终取决于良率、售价以及它消耗晶圆产能的规模。首批样品预计2027年送出，后续客户测试，将验证预期的降本收益能否覆盖高昂的晶圆消耗。
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