ChangXin Technology earns a net profit of 77.6 billion yuan in half a year, and invests another 34.9 billion yuan to bet on next-generation DRAM

[[**长鑫科技半年净赚776亿元，同时宣布349亿元投资（241亿研发+108亿测试），利用利润和超募资金逆周期扩产，巩固全球DRAM第四地位，并押注下一代工艺与自建测试能力。**

**要点**

**1. 半年盈利暴增，毛利率高达84.84%**

2026年上半年营收1503亿元，归母净利润776亿元，同比扭亏；二季度环比增长113%，利润仍在加速释放。AI算力需求拉高DRAM价格，长鑫填补了巨头向HBM倾斜后留下的通用存储缺口。

**2. 349亿投向研发与测试，补强IDM短板**

241亿用于DRAM制程迭代（第五代11.95nm刚量产），108亿建设后道测试基地，解决外部封测产能瓶颈。其中180亿来自IPO超募资金，不新增债务、不稀释股东。

**3. 下游兆易创新加价抢产能，卖方市场信号明确**

兆易创新将2026年关联交易额度从57亿上调至78.5亿，2027年1-4月预计达44亿，已超其2026年一季度全部营收。轻资产设计公司大幅加价抢代工，印证DRAM产能高度紧张。

**4. 海外存储股下跌，长鑫逆势扩产形成时间差**

美股美光、SK海力士等受高利率压制下跌，而长鑫投入349亿扩产。其测试基地2029年投产，恰逢周期低谷，逆周期投资有望复制三星历史——在下一轮景气中拿走最大份额。2026-09-30 09:58半年赚776亿，长鑫又拿出349亿押注下一代DRAM来咖智库速览

本文来自微信公众号： 来咖智库 ，作者：AA，编辑：G3007

9月28日晚间，长鑫科技（688825.SH）连发两份投资公告：241亿元的技术研发项目，加上108亿元的存储器晶圆后道测试基地二期，单日合计349亿元。其中180亿直接来自IPO超募资金，剩下的通过增资借款补足。

一家公司半年报刚录得A股罕见的盈利数字，转头就把利润和超募资金砸回产线。这个动作该怎么读？

01

776亿的利润，是什么成色

长鑫科技2026年上半年实现营业收入1503.1亿元，同比增长873.64%；归母净利润776.05亿元，而去年同期公司还亏着23.32亿元。主营业务毛利率84.84%，经营性现金流净额1311.56亿元。

实在是太赚钱了。

84.84%的主营业务毛利率，放在整个A股大型制造企业中也相当突出。AI算力需求拉动全球DRAM供不应求，三星、SK海力士、美光把产能向HBM和服务器DDR5倾斜，通用存储产品留下结构性空缺，长鑫正好接住了这块市场。

更值得注意的是环比曲线。一季度归母净利247.62亿元，二季度528.43亿元，环比增长113%。也就是说，到今年年中，涨价带来的利润还在加速释放，而非见顶回落。

市场份额同步上台阶。据CFM闪存市场数据，2026年二季度全球DRAM市场规模1470.24亿美元，环比增长55.9%，创历史新高；三星、SK海力士、美光之后，长鑫存储份额已逼近10%，稳坐全球第四，且季度销售收入环比增幅位列全球第一。

研发项目总投资241亿元，建设周期30个月，聚焦DRAM制程工艺迭代。这个投入的背景是长鑫刚刚完成关键一跃：9月，公司第五代DRAM工艺技术平台正式量产，依托四重曝光技术将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，跻身全球顶尖量产制程行列。今年上半年研发投入68.59亿元，同比增长87.38%，241亿相当于上半年研发投入的3.5倍。

测试基地二期则回答了一个更现实的问题。公告里的表述相当直白：随着产能持续释放、产品矩阵不断丰富，外部封测产能不足、配套资源受限，已经开始制约产能释放。这座总投资108亿元、建设周期37个月的测试工厂，建成后将承担DRAM晶圆测试和模组组装，进一步补强IDM模式下的后道测试能力。

需要说明的是，349亿元是两个项目的规划总投资，其中180亿元拟使用超募资金。长鑫上市时市场给的钱到现在还没有花完，如今反手投入产线，没有新增债务，也没有稀释股东。利润换产能，现金流换时间，这笔账的打法相当传统，也相当扎实。

9月29日晚，兆易创新公告，将2026年度与长鑫集团的日常关联交易预计额度从57.11亿元上调至78.54亿元，增加原因写得很清楚：DRAM产品代工价格随市场行情上行。同时公司预计2027年1至4月的关联交易额度将达44.11亿元。

这组数字的分量需要换算一下：44.11亿只是4个月的预计额度，已经超过兆易创新2026年一季度的全部营收（41.88亿元），接近其2025年全年营收（92.03亿元）的一半。而2025年双方实际发生的关联交易只有约11.8亿元，一年时间，额度膨胀至6.7倍。

还有一层信号藏在执行进度里。2026年1至8月实际发生35.96亿元，距离78.54亿的上限还有42.58亿元空间，意味着四季度下半场，采购节奏大概率还要提速。

轻资产的设计公司加价抢代工产能，这是卖方市场最典型的微观形态。Fabless厂商可以没有晶圆厂，但不能没有DRAM产能，而当下全球范围内能大规模承接利基型DRAM代工的产能，就那么几条线。

04

对面的价格：美股存储链一夜大跌

热闹的另一面，是全球资本市场给这个行业的另一份报价。

就在长鑫公告发布前后，美股存储板块集体下挫：美光收跌2.61%，SK海力士收跌5.03%，闪迪收跌3.65%，费城半导体指数收跌1.61%（盘中一度跌3%）。背景是10年期美债收益率盘中升至5.27%，创2007年以来新高，30年期升至5.57%，创2002年以来新高，高利率环境下高估值成长资产整体承压。

A股这边，长鑫科技9月28日收盘跌4.27%，总市值3.65万亿元，仍稳居A股市值榜首。一边是本土龙头逆势重金扩产，一边是海外存储资产估值收缩，同一个行业，两个市场给出了方向相反的定价。

基本面侧的信号同样值得记录：由于存储原厂与部分服务器客户已锁定长协价格上限，非长协订单的涨价空间正在逐季缩小，机构普遍预期三季度DRAM价格继续上涨但涨幅收窄。暴涨阶段大概率正在过去。

那么，涨价动能趋缓之际砸下349亿扩产，是逆势豪赌，还是教科书操作？

DRAM产业的历史给出的参照是后者。这是一条以深周期著称的赛道，价格暴涨与暴跌的振幅远超一般制造业，而行业格局的洗牌，几乎都发生在下行周期的扩产决策上：谁在最缺钱的时候继续投产线，谁就在下一轮景气里拿走最大的份额。三星当年正是靠连续多个下行周期的逆周期投资，把日系对手挤出了存储市场。

把长鑫的时间表摆进这个框架里看。测试基地二期建设周期37个月，投产节点大约落在2029年，恰好对应本轮紧缺缓解、供需重新寻底的窗口。届时手里有新产能、有第五代乃至第六代工艺、有自建测试体系的公司，和只赚过一轮涨价钱的公司，处境会完全不同。

更何况长鑫的扩产并非同质化堆量。巨头让出的通用DRAM结构性空缺、LPDDR6全球首次商用量产（首发小米18 Fold，峰值速率12800Mbps、最高容量16GB）、长鑫10667Mbps的LPDDR5X在努比亚NaviX Ultra上落地（国产该速率级产品首次量产应用），这些产品端的卡位说明，349亿买的不只是产能，是差异化位置。

结语

存储超级周期的中场判断没有变化，变的是观察重点。接下来值得盯的不再是DRAM每季度涨几个点，而是三个更慢的变量：11.95纳米之后的第六代工艺何时点亮，78.54亿的关联额度明年以什么速度执行完，以及2029年测试基地投产时，行业正处在周期的哪个位置。

对二级市场，需要保留一分清醒：周期股的估值顶，历来出现在利润率见顶之前。349亿是产业资本对未来的下注，而金融资本定价的是当期利润的斜率，两者的时间差，恰恰是这门生意全部的博弈空间。频道: 金融财经

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