Huachen Xinguang Builds Semiconductor Laser Chips with Its Globally Unique WXP Process; Single-Mode 980nm Chip Competes in IC Rankings
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Zhejiang Huachen Xinguang has developed a single-mode 980nm pump laser chip using its proprietary WXP facet passivation process, raising the catastrophic optical damage threshold by more than 500%, and says it is the first to complete mass-production validation, filling a domestic gap. The chip's slope efficiency exceeds 1.0W/A, its multimode 9xxnm chip exceeds 1.2W/A, and reliability lifetime is 5-10 times longer than with conventional processes. It has received 22 invention patents and 38 utility model patent authorizations, and is competing for the Annual Technology Breakthrough Award at the 8th IC Rankings.
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【IC风云榜候选企业8】全球独有WXP工艺加持,华辰芯光铸就半导体激光芯片“中国芯”
来源:爱集微 #华辰芯光# #投资年会# #IC风云榜#
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【编者按】作为半导体行业的年度标杆盛会,第八届IC风云榜立足产业技术迭代与国产替代的关键窗口期。本届榜单全新升级,设置70项重磅大奖,覆盖AI、具身智能、智能汽车等八大核心领域,并新增优化多项特色奖项。评委会由百余家半导体投资联盟单位及500+行业CEO组成,获奖名单将在2027半导体投资年会盛典揭晓,全力挖掘产业标杆、树立行业创新典范。
【候选企业】浙江华辰芯光技术有限公司(以下简称:华辰芯光)
【候选奖项】年度技术突破奖
浙江华辰芯光技术有限公司(简称“华辰芯光”)作为一家从事高可靠半导体激光芯片、器件及模块研发与制造的IDM模式高科技半导体企业,正以全球领先的WXP腔面钝化技术,为国产半导体激光芯片的自主可控发展注入强劲动力。
华辰芯光成立于2021年9月,在江苏无锡、浙江衢州、湖北武汉均设有子公司。其中,无锡基地拥有5000平方米4/6英寸砷化镓和磷化铟半导体激光芯片全流程制造基地,涵盖外延生长、光刻、刻蚀、薄膜生长、减薄、腔面镀膜、测试、老化及芯片失效分析等完整工艺环节;衢州、武汉则建有10000平方米的光器件及激光模块制造基地。公司主营高可靠半导体激光芯片、器件及模块,产品广泛应用于光纤通信、数据通信、卫星通信、激光雷达、智能制造、低空清障等前沿领域,可向客户提供从芯片、器件、模块到系统集成的全产业链一体化的IDM激光解决方案。
华辰芯光汇聚了GaAs和InP领域全球一流的研发专家,研发人员占比约41%,已荣获国家高新技术企业、专精特新中小企业、GEI中国潜在独角兽企业、浙江未来独角兽企业TOP100、企业技术中心等多项资质,展现出强劲的成长潜力与行业影响力。
本次华辰芯光携单模980nm泵浦激光芯片角逐“IC风云榜”年度技术突破奖。该奖项旨在表彰在前沿技术领域实现原始性重大创新、达到国际先进水平、对推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
华辰芯光单模980nm泵浦激光芯片,采用连续波工作模式,具备高电光转换效率、窄线宽、光学性能稳定等优势,是泵浦源、光放大器与工业激光系统的核心器件。该产品采用独创WXP工艺,通过量子阱内掺杂精准调控能带结构和QWI形貌,抑制腔面吸收、稳定波长控制,将光学灾变损伤阈值提升500%以上。WXP技术为国际顶尖腔面钝化核心技术,华辰芯光率先成功实现技术突破并首个完成量产验证,填补国内空白。性能方面,单模980nm芯片斜率效率突破1.0W/A,多模9xxnm芯片斜率效率突破1.2W/A,芯片可靠性较传统工艺寿命提升5-10倍。该产品已获得22项发明专利授权、38项实用新型专利授权。
单模980nm芯片主要用作掺铒光纤放大器(EDFA)泵浦光源,应用于800G/1.6T高速相干光模块、DWDM骨干传输网、AI数据中心长距互联、光纤传感、特种光纤激光器等领域,综合性能达到国际领先水平。
立足高可靠半导体激光芯片领域,华辰芯光正以WXP核心技术为基石,持续推动技术成果产业化,为全球光通信与激光应用贡献中国芯片力量。
【奖项申报入口】
2027半导体投资年会暨IC风云榜颁奖典礼将于2026年12月举办,奖项申报已启动,目前征集与候选企业/机构报道正在进行,欢迎报名参与,共赴行业盛宴!
【年度技术突破奖】
“年度技术突破奖”奖项旨在表彰2026年度于前沿技术领域开展原始性重大技术创新,达到国际先进/领先水平,未来或产生重大经济社会效益,对于推动我国集成电路产业链自主安全可控发展发挥重大作用的企业。
【报名条件】
1、深耕半导体某一细分领域,2026年发布的新技术或产品具有原始性重大技术创新,达到国际先进/领先水平;
2、产品应用范围广,具有良好市场前景,对全球及国内半导体产业发展起到重要作用。
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