Weinan Hexin Completes Over 1 Billion Yuan C2 Round of Financing, Cumulative Financing of 3 Billion Yuan in Half a Year

芯东西10月28日报道，今日，杭州三维存算一体AI芯片公司微纳核芯宣布，该公司近日完成超10亿元C2轮融资。

本轮融资由建投投资领投，杭州资本、凯泰资本、晓池资本、烟台财金、盛堃投资、国投泰康、领阳基金等机构共同投资，多名老股东继续加码。本轮资金将用于产品开发迭代与供应链量产备货，同时该公司计划于近期实现规模商业化与量产销售。

叠加今年9月完成的C1轮，该公司在两个月内完成超20亿元融资，半年内累计融资30亿元。

微纳核芯成立于2021年，总部位于浙江杭州，孵化于浙江省北大信息技术高等研究院，主营存算一体AI推理芯片。该公司称其全球首创三维存算一体3D-CIM架构，即“3D近存计算+SRAM存算一体+RISC-V异构存算”的融合方案，面向大模型推理场景，同时布局端侧与云侧两条产品线。

该公司创始人、首席科学家兼董事长叶乐为北京大学集成电路学院副教授、博士生导师，主要研究领域包括存算一体AI芯片及架构设计、3D集成芯片及架构设计、智能物联网AIoT芯片设计、高能效模拟与数模混合集成电路设计，曾在ISSCC、JSSC、TCAS-I等芯片设计顶刊发表论文近20篇。

▲微纳核芯创始人、首席科学家兼董事长叶乐

据企业信息查询平台企查查，微纳核芯成立以来已完成9轮融资。今年1月，其B+轮融资落地，兆易创新参与；6月，该公司再获超亿元B+轮融资，江城基金、九坤投资、中芯聚源、蓝驰创投、凯风创投等多家机构入局；9月，微纳核芯10亿元C1轮融资落定，投资方包括元昊投资、金浦投资、阳光保险、元禾璞华等。

产品方面，微纳核芯的3D-CIM架构融合DRAM三维近存计算、SRAM存算一体和RISC-V异构存算，从架构层面破解冯・诺伊曼架构的存储墙与功耗墙。

据该公司披露，多次流片实测显示，其SRAM存算一体架构芯片相比冯・诺伊曼架构芯片可实现提升4-6倍算力密度和5-10倍能效比。

微纳核芯官网显示，该公司基于CIM技术推出端侧与云侧两大产品线，均支持多颗级联，在Llama系列模型上实现150至300tokens/s的推理速度，主打高吞吐、低功耗，广泛覆盖AI手机、AI PC、IoT及服务器场景。

其中，端侧LP-CIM系列单颗芯片集成2GB DRAM，INT8算力不低于20TOPS，功耗低于2W，采用LPDDR接口并支持内存共享；云侧PCIe-CIM系列单颗芯片集成2至12GB DRAM，INT8算力达40至80TOPS，功耗低于4W，采用PCIe接口。

据该公司披露，云侧系列可基于成熟工艺实现对标先进制程的算力密度，并大幅提升带宽、降低功耗。

量产进度方面，微纳核芯披露，第一代LP-CIM系列与PCIe-CIM系列共三颗芯片已全部投片，预计2027年初正式客户送测并启动批量供货。

在商业化落地上，该公司已完成芯片、板卡/服务器及软件栈的开发；端侧已与多家手机平台、ODM厂商及具身智能公司开展合作，部分项目进入深度联合调试；云侧已与多家CSP云服务商、AI Infra厂商及AIDC算力服务商推进算力方案评估与场景化POC测试。

结语：存算一体进入商业化窗口期

微纳核芯两个月融资超20亿元，放在存算一体赛道的整体热度里看并不是单一案例：九天睿芯半年融资10亿元押注HBF，亿铸科技近日也累计融资突破10亿元聚焦3D DRAM存算一体。

各家围绕SRAM、DRAM、闪存等不同介质分头布局，资本对存算一体的投入正在从概念阶段进入商业化窗口期。