英伟达旗下 Groq 下一代 LPU 架构转向 3D 堆叠 DRAM,瞄准更大模型时代的容量需求
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被英伟达纳入麾下的 Groq 计划在下一代 LPU 中放弃单纯依赖 SRAM,改用 3D 堆叠 DRAM 架构,以提升芯片存储容量、适应不断膨胀的大模型需求。现有 Groq LPU 采用 500MB SRAM、150TB/s 带宽,单颗提供约 1.20 PFLOPs FP8 算力;LPX 机架配置 256 颗芯片,合计 128GB SRAM 与 640TB/s 扩展带宽,已于今年 8 月全面量产。新方案将借 TSV 实现多层 DRAM 堆叠,思路类似 HBM,未来 Groq 或将 DRAM 与 SRAM 产品线并行发展。
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已被英伟达纳入麾下的 AI 推理芯片公司 Groq 正计划在下一代 LPU(Language Processing Unit,语言处理单元)产品中引入 3D 堆叠 DRAM 技术,以替代当前广泛采用的 SRAM 方案。这一调整意味着该公司未来将更加侧重提升芯片存储容量,以适应不断膨胀的大型人工智能模型需求。
今年早些时候,英伟达公布了 Groq LPX 机架产品,将其纳入 Vera Rubin 生态体系,以强化 AI 推理性能表现。该机架已于今年 8 月进入全面量产阶段。根据早期测试结果,在与 NVL72 服务器协同工作的情况下,系统可实现每秒 3400 个 Token 的推理速度,创下新的性能纪录。
现有一代 Groq LPU 采用 500MB SRAM 设计,内存带宽高达 150TB/s。在 LPX 机架中,系统配置了 256 颗此类芯片,总计提供 128GB SRAM 容量以及 640TB/s 的扩展带宽能力。单颗 Groq LPU 则能够提供约 1.20 PFLOPs 的 FP8 算力。
不过在下一代产品上,Groq 准备采取截然不同的路线。公司计划放弃单纯依赖 SRAM 的方案,转而采用 DRAM,并结合 3D Stacked(3D 堆叠)封装技术打造新架构。与 SRAM 相比,DRAM 最大优势在于能够提供远高于 SRAM 的存储容量,但代价是带宽和访问速度相对较低。
一名半导体行业人士表示,Groq 已经计划在下一代芯片中引入 3D 封装技术,而堆叠对象将从现有的 SRAM 转变为 DRAM。业内普遍将这一举动解读为 Groq 希望大幅提升芯片存储容量。SRAM 虽然速度极快,但容量扩展受限;相较之下,DRAM 虽然速度较慢,却更适合构建大规模存储系统。
通过采用 3D 堆叠技术,Groq 可以在单个垂直结构芯片中堆叠多层 DRAM,并利用 TSV(硅通孔)技术实现层间连接。这种设计理念与当前高带宽存储器 HBM 的实现方式十分相似。相比传统 DRAM 封装,3D 堆叠方案不仅能够显著提高单位面积存储密度,还能改善能效表现并减少占用空间。
从目前披露的信息来看,Groq 此次产品升级的重点明显转向存储容量,同时仍希望尽可能保留其 SRAM 架构所带来的部分高带宽优势。随着生成式 AI 模型规模持续扩大,对大容量高速内存的需求也在不断增长,因此新一代 Groq 芯片有望获得更广泛应用。
报道还提到,未来 Groq 或许不会完全放弃 SRAM,而是将 DRAM 与 SRAM 产品线并行发展,根据不同应用场景提供差异化解决方案。对于正在建设 AI 工厂和 AI 平台的英伟达而言,这类更高容量的推理芯片也有望在未来发挥更重要的作用。
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