英飞凌将在奥地利建设全球首座300毫米氮化镓功率半导体量产厂

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全球首座大规模生产300毫米晶圆氮化镓功率半导体的工厂将落户欧洲，具体位于奥地利南部的菲拉赫。英飞凌科技奥地利公司正在那里改造一座现有洁净室。计划于2027年底开始生产。大约两年前，英飞凌奥地利公司取得了氮化镓晶圆的技术突破。借此，英飞凌将自身定位为硅、碳化硅和氮化镓三种材料晶圆的供应商。

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氮化镓（GaN）与碳化硅一样，是一种所谓的宽禁带半导体，其价带与导带之间的间距很宽。这使其能够在高达1700伏的阻断电压下，以高频率和低损耗开关大电流。由此可为太阳能逆变器、充电器、电机控制系统或AI系统电源等设备带来更小的尺寸和重量。得益于更高的效率，温室气体排放也会降低。以电动汽车为例，这意味着更轻的蓄电池、更高的续航里程和更快的充电速度。

“通过建设300毫米大规模量产产线，我们将成为全球首家将氮化镓功率电子推向规模化量产的企业，”英飞凌科技股份公司首席执行官约亨·哈内贝克欣喜地表示。“由此，我们为氮化镓在人工智能、能源基础设施、电动出行和机器人等领域的众多关键应用中实现全面应用铺平了道路。”

11亿欧元，含欧盟补贴

量产需要投资约11亿欧元，其中最多3.19亿欧元应来自欧盟根据《欧洲芯片法案》提供的补贴。奥地利经济部的正式拨款尚待落实，但政府对该项目的态度毋庸置疑：“凭借英飞凌的数十亿投资，我们正见证奥地利高科技产业历史上最大的单笔投资之一，”联邦总理克里斯蒂安·施托克尔（奥地利人民党）表示。“这不仅是对我们商业驻地的有力承诺，也确保半导体产业的未来不仅由亚洲或美洲决定，也由奥地利和欧洲决定。”

施托克尔的目标是让本国“到2035年重新跻身世界十大工业强国之列”。“目前欧洲仅占全球芯片产量的约10%，”其党内同僚、经济部长沃尔夫冈·哈特曼斯多费尔表示。“奥地利在节能芯片方面已经处于领先地位。按人口规模计算，我们在半导体领域企业研发支出方面位居欧盟第一。我们希望借助我们的产业战略扩大这一领先优势。”据英飞凌称，欧洲在功率电子领域的市场份额约为40%。

位于克恩顿州的菲拉赫是英飞凌全球功率电子和新半导体材料的全球能力中心。英飞凌奥地利公司拥有约5800名员工，其中2500人从事研究，4800人在菲拉赫驻地工作。300毫米GaN产线的建设预计将与同样设在菲拉赫的功率电子研发活动产生积极的互动效应。氮化镓可实现比碳化硅（SiC）更高的开关速度，但在英飞凌，其成本不会更高。

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(ds)