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AI 综述
Micron(美光)公布面向AI数据中心的下一代存储芯片G11。据2026年10月24日的报道,G11在相同硅片面积上可容纳约两倍于当前G9的数据量,堆叠层数从276层提升至400层以上,传输速度最高提升1.5倍,每bit数据传输能耗降低超过25%。该芯片跳过G10命名、专为AI数据中心重新设计,预计2027年下半年量产,搭载G11的SSD会更晚上市,美光尚未公布每GB成本变化。目前尚无后续进展。
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美光 G11 存储芯片：容量翻倍、能效提升 25%事件进展
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- 来源：Rohan Paul
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10月24日
Rohan Paul
美光 G11 存储芯片：容量翻倍、能效提升 25%
美光下一代存储芯片 G11 在相同硅片面积上可容纳约两倍于当前 G9 的数据量，堆叠层数从 276 层提升至 400 层以上，传输速度最高提升 1.5 倍，每 bit 数据传输能耗降低超过 25%。该芯片跳过 G10 命名、专为 AI 数据中心重新设计，预计 2027 年下半年量产，搭载 G11 的 SSD 会更晚上市，美光尚未公布每 GB 成本变化。