先了解这件事
AI 综述
长鑫科技宣布投资合计349亿元,用于241亿元技术研发项目和108亿元存储器晶圆后道测试基地二期。相关报道显示,公司同期披露2026年上半年营收1503.1亿元、归母净利润776.05亿元,同比扭亏,主营业务毛利率84.84%;上述349亿元投资中180亿元来自IPO超募资金。报道还称,其第五代DRAM工艺已于9月量产,内存阵列有源区半间距缩至11.95纳米。目前有证据支持的最新进展仍为这项投资公告本身。
AI 根据公开报道生成
最新进展 · 正式报道
长鑫科技半年净赚776亿元，再投349亿元押注下一代DRAM事件进展
1 个已确认进展
- 来源：虎嗅
报道与讨论时间线
按时间查看正式报道与传播讨论；两类内容的证据等级保持独立。
9月30日
虎嗅
长鑫科技半年净赚776亿元，再投349亿元押注下一代DRAM
长鑫科技2026年上半年营收1503.1亿元、归母净利润776.05亿元，同比扭亏，主营业务毛利率84.84%。公司同期公告241亿元DRAM制程研发项目和108亿元存储器晶圆后道测试基地二期，合计349亿元，其中180亿元来自IPO超募资金。其第五代DRAM工艺已于9月量产，内存阵列有源区半间距缩至11.95纳米。