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横滨国立大学、东京科学大学、日本产业技术综合研究所(AIST)和光电子产业技术研究协会(PETRA)组成的团队发表利用慢光效应的硅光调制器论文。据2026年10月23日的报道,该团队在《自然·通讯》发表成果:通过在硅光子晶体波导中蚀刻纳米级微孔让光减速,并内置电光均衡器补偿带宽,单通道速率达200Gb/s,每比特能耗仅26飞焦。器件长度320微米,OOK格式下为140Gb/s,PAM-4下达200Gb/s,体积比传统MZM缩小约一个数量级,且可采用CMOS兼容工艺制造。报道称该架构有望用于共封装光学,但当前光学插入损耗较大,量产仍待损耗优化与良率验证。
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横滨国立大学等团队用慢光硅光调制器实现200Gb/s、26飞焦每比特事件进展
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- 来源：半导体产业纵横
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10月23日
半导体产业纵横
横滨国立大学等团队用慢光硅光调制器实现200Gb/s、26飞焦每比特
横滨国立大学、东京科学大学、AIST 与 PETRA 团队在《自然·通讯》发表慢光硅光调制器，通过在硅光子晶体波导中蚀刻纳米级微孔让光减速，并内置电光均衡器补偿带宽，单通道速率达200Gb/s，每比特能耗仅26飞焦。器件长度320微米，OOK 格式下为140Gb/s，PAM-4 下达200Gb/s，体积比传统 MZM 缩小约一个数量级，且可采用 CMOS 兼容工艺制造。该架构有望用于共封装光学，但当前光学插入损耗较大，量产仍待损耗优化与良率验证。