先了解这件事
2026年10月21日,有报道称Groq计划在下一代LPU中放弃单纯依赖SRAM,改用3D堆叠DRAM架构,以提升芯片存储容量、适应不断膨胀的大模型需求。现有Groq LPU采用500MB SRAM、150TB/s带宽,单颗提供约1.20 PFLOPs FP8算力;LPX机架配置256颗芯片,合计128GB SRAM与640TB/s扩展带宽,已于今年8月全面量产。次日报道进一步称,被英伟达实质性收购的Groq正评估在下一代芯片中引入名为3DS的3D堆叠DRAM封装技术,利用TSV在DRAM芯片内打穿数千微孔垂直互连;与追求数据交换速率的HBM不同,3DS在保持现有DRAM标准接口协议的前提下侧重存储容量扩张。报道称Groq的LPU架构依赖的SRAM容量极小,面对千亿级参数模型存在容量瓶颈,3D堆叠意在维持速度优势的同时解决存不下的问题。目前尚无官方确认或后续进展。
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- 来源：集微网
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10月22日
集微网
英伟达实质收购 Groq 后，Groq 下一代芯片拟弃 SRAM 改用 3D 堆叠 DRAM
外媒报道称，被英伟达实质性收购的 Groq 正评估在下一代芯片中引入 3D 堆叠 DRAM 封装技术，方案名为 3DS，利用 TSV 在 DRAM 芯片内打穿数千微孔垂直互连。与追求数据交换速率的 HBM 不同，3DS 在保持现有 DRAM 标准接口协议的前提下侧重存储容量扩张。Groq 的 LPU 架构依赖的 SRAM 容量极小，面对千亿级参数模型存在容量瓶颈，3D 堆叠意在维持速度优势的同时解决存不下的问题。
10月21日
cnBeta
英伟达旗下 Groq 下一代 LPU 架构转向 3D 堆叠 DRAM，瞄准更大模型时代的容量需求
被英伟达纳入麾下的 Groq 计划在下一代 LPU 中放弃单纯依赖 SRAM，改用 3D 堆叠 DRAM 架构，以提升芯片存储容量、适应不断膨胀的大模型需求。现有 Groq LPU 采用 500MB SRAM、150TB/s 带宽，单颗提供约 1.20 PFLOPs FP8 算力；LPX 机架配置 256 颗芯片，合计 128GB SRAM 与 640TB/s 扩展带宽，已于今年 8 月全面量产。新方案将借 TSV 实现多层 DRAM 堆叠，思路类似 HBM，未来 Groq 或将 DRAM 与 SRAM 产品线并行发展。
Rohan Paul
消息称 Groq 下一代推理芯片将堆叠 DRAM 以突破 SRAM 容量限制
据行业消息，Groq 计划在下一代推理芯片中堆叠 DRAM，以绕开片上 SRAM 容量过小的问题。当前 Groq 3 LPU 的 500MB 片上 SRAM 带宽达 150TB/s，约为 Rubin GPU HBM 带宽的 7 倍，但 256 芯片整机架仅 128GB，低于单块 Rubin GPU 的 288GB。报道中的 3DS 方案通过硅通孔垂直连接 DRAM 裸片并保留标准 DRAM 接口，主要按普通 DRAM 速度增加容量；此前供应链消息还提到 SK Hynix DRAM 以混合键合直接贴合逻辑裸片。Groq 尚未公布该设计，Cerebras 也计划在 CS-6 晶圆上堆叠 DRAM。
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- 29 10月22日 09:00
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