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CXMT总裁称计划2026年底前推出4F²服务器内存产品

3 篇正式报道3 条事件动态更新于 10月14日 07:15

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Applied Materials 在硅谷启用 50 亿美元 EPIC 先进 AI 芯片研发中心

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  1. CXMT总裁称计划2026年底前推出4F²服务器内存产品

    来源:Analytics India Magazine

报道与讨论时间线

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10月14日

  1. Fortune AI

    Applied Materials 在硅谷启用 50 亿美元 EPIC 先进 AI 芯片研发中心

    Applied Materials 周一在加州 Sunnyvale 正式启用 EPIC 半导体研发中心,该项目耗资 50 亿美元、建筑面积 60 万平方英尺,与 Intel、台积电、Micron、SK Hynix、Samsung 等厂商合作,各家公司将派驻研究团队并提前使用其最新设备。公司称这一协作可把芯片架构从概念到商业化的周期由 10 至 12 年缩短到最快 6 年。该中心仅用于研发而非芯片量产,因此本身不太可能把芯片制造带回美国。

10月13日

  1. The Guardian Technology

    博通 CEO 称 AI 投资像赌场,芯片股集体下挫

    半导体股周二下跌,此前博通 CEO 陈福阳把许多 AI 投资者比作赌场赌客,称他们并不清楚自己在投什么。韩国 Kospi 指数跌 6.25%,三星电子跌 7.4%,SK Hynix 跌 10%,日本 Tokyo Electron 跌 7.15%,SoftBank Group 跌 8.5%;美股 Micron 跌 4.8%,Nvidia 跌 0.8%。中国存储芯片厂商 CXMT 称在新 Dram 架构上取得良好进展并计划推出产品,投资者担心其挑战三星、SK Hynix 和 Micron。陈福阳还提到 OpenAI 截至 9 月底的年化收入为 500 亿美元,但仍因训练投入巨大而亏损。

  2. Analytics India Magazine

    长鑫存储称 4F² 存储架构取得突破,计划 2026 年底前推出服务器内存

    长鑫存储(CXMT)总裁曹堪宇在上海一场行业会议上称,公司已开发出 4F² 存储单元架构,可将单元占位面积从传统 6F² 的六倍特征尺寸平方缩减至四倍,并计划在 2026 年底前推出基于该架构的服务器内存产品。该架构采用垂直环栅(Vertical Surrounding Gate)方案,用于降低漏电等微缩难题。此前长鑫已宣布第五代 DRAM 平台 G5 量产,并推出 24-gigabit LPDDR5X 芯片,称其有源区半间距为 11.95 纳米、每片晶圆产出裸片比上一代多至少 50%;同月还宣布 LPDDR6 量产,首发于小米 18 Fold。长鑫 7 月上海 IPO 募资约 86 亿美元,第二季度全球 DRAM 营收份额达 9.5%,但在 HBM 领域仍落后于三星和 SK 海力士。

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