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Infineon在奥地利建设300毫米氮化镓功率半导体量产线

2 篇正式报道2 条事件动态更新于 10月28日 13:15

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AI 综述

英飞凌(Infineon)将在奥地利菲拉赫改造现有洁净室,建设全球首座300毫米氮化镓(GaN)功率半导体大规模量产工厂。据heise online报道,该项目投资约11亿欧元,其中最多3.19亿欧元来自欧盟芯片法案补贴,计划2027年底投产。报道称,GaN功率器件可在1700伏阻断电压下高频低损耗开关,用于太阳能逆变器、充电器、电机控制和AI系统电源;英飞凌称这将使其成为全球首家将GaN功率电子推向规模化量产的企业。目前尚无后续进展披露。

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最新进展 · 正式报道

周三科技速览:Discover-Tech 借广告向 Starlink 用户投放间谍软件、Amazon 收购…

事件进展

1 个已确认进展

  1. Infineon在奥地利建设300毫米氮化镓功率半导体量产线

    来源:heise online

报道与讨论时间线

按时间查看正式报道与传播讨论;两类内容的证据等级保持独立。

10月28日

  1. heise online

    周三科技速览:Discover-Tech 借广告向 Starlink 用户投放间谍软件、Amazon 收购…

    以色列公司 Discover-Tech 被曝借在线广告基础设施向 Starlink 用户投放间谍软件,在 105 个国家是 Starlink 相关广告的最大买家,目标地区包括也门、叙利亚等受制裁地区。美国 FCC 已批准 Amazon 以 11.5 亿美元收购卫星运营商 Globalstar,仅 Globalstar 参股的 Yippy 提出异议但被驳回。Infineon 将在奥地利 Villach 建设全球首座 300 毫米氮化镓功率半导体量产工厂,投资约 11 亿欧元,计划 2027 年底投产。

  2. heise online

    英飞凌将在奥地利建设全球首座300毫米氮化镓功率半导体量产厂

    英飞凌将在奥地利菲拉赫改造现有洁净室,建设全球首座300毫米氮化镓(GaN)功率半导体大规模量产工厂,计划2027年底投产,投资约11亿欧元,其中最多3.19亿欧元来自欧盟芯片法案补贴。GaN功率器件可在1700伏阻断电压下高频低损耗开关,用于太阳能逆变器、充电器、电机控制和AI系统电源,英飞凌称这将使其成为全球首家将GaN功率电子推向规模化量产的企业。

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