先了解这件事
Micron(美光)在最新报告中详述了计划到2030年推向市场的内存与存储芯片路线。报告披露,单个HBM4内存堆栈带宽达2.8 TB/s,约13块顶级AI GPU(每块8个堆栈)的内存带宽即可匹敌全球国际互联网约282 TB/s的总带宽;英伟达GPU单卡内存从H100的80GB增至B300的288GB,增长3.6倍。美光计划2028年实现把内存直接堆叠在GPU之上的垂直HBM,并放弃研究20多年的4F2 DRAM单元布局,转向3D向上堆叠DRAM。后续报道称,美光正开发的vHBM将DRAM直接堆叠在处理器上方以缩短传输距离、提升带宽,目标2028年量产并在2030年前推出三代产品;该架构会妨碍处理器散热,分析师预计vHBM将与传统HBM并行使用而非全面取代。美光技术蓝图还包含面向边缘设备的vEIM,第一代目标带宽每秒2TB、每比特能耗低于1皮焦耳,同样计划2028年量产。
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美光下一代AI存储器vHBM面临散热难题：瞄准2028年量产，带宽升级成关键事件进展
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- 来源：Rohan Paul
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10月26日
集微网
美光下一代AI存储器vHBM面临散热难题：瞄准2028年量产，带宽升级成关键
美光正开发垂直高带宽存储器vHBM，将DRAM直接堆叠在处理器上方以缩短传输距离、提升带宽，目标2028年量产并在2030年前推出三代产品。该架构会妨碍处理器散热，分析师预计vHBM将与传统HBM并行使用而非全面取代。美光技术蓝图还包含面向边缘设备的vEIM，第一代目标带宽每秒2TB、每比特能耗低于1皮焦耳，同样计划2028年量产。
10月24日
Rohan Paul
美光披露到 2030 年的存储芯片路线图
美光在最新报告中披露了计划到 2030 年推向市场的内存与存储芯片路线。单个 HBM4 内存堆栈带宽达 2.8 TB/s，约 13 块顶级 AI GPU（每块 8 个堆栈）的内存带宽即可匹敌全球国际互联网约 282 TB/s 的总带宽；英伟达 GPU 单卡内存从 H100 的 80GB 增至 B300 的 288GB，增长 3.6 倍。美光计划 2028 年实现把内存直接堆叠在 GPU 之上的垂直 HBM，并放弃研究 20 多年的 4F² DRAM 单元布局，转向 3D 向上堆叠 DRAM。
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