美光 G11 存储芯片：容量翻倍、能效提升 25%
Micron’s next memory chip generation, G11, will fit roughly twice as much data on the same patch of silicon as today’s G9, the main route to bigger SSDs, which
AI 导读
美光下一代存储芯片 G11 在相同硅片面积上可容纳约两倍于当前 G9 的数据量，堆叠层数从 276 层提升至 400 层以上，传输速度最高提升 1.5 倍，每 bit 数据传输能耗降低超过 25%。该芯片跳过 G10 命名、专为 AI 数据中心重新设计，预计 2027 年下半年量产，搭载 G11 的 SSD 会更晚上市，美光尚未公布每 GB 成本变化。
正文 · AI 翻译
美光下一代存储芯片 G11 在相同硅片面积上可容纳的数据量约为当前 G9 的两倍，这是实现更大容量 SSD 的主要途径，而 AI 数据中心目前正大量采购这类 SSD。
G9 将存储单元堆叠至 276 层高。美光跳过了 G10 这一命名，针对 AI 重新设计了下一代芯片，并将其命名为 G11：其堆叠层数超过 400 层，每个单元排列更紧密，因此相同尺寸的芯片可容纳约两倍的数据量，传输速度最高提升至 1.5 倍，每比特数据传输能耗降低超过 25%。
量产将于 2027 年下半年启动，因此搭载 G11 的硬盘会更晚上市；而且由于更高的堆叠层数和第二片键合晶圆也会增加成本，美光尚未公布每吉字节的成本会降低多少。